Разработка первых транзисторов в СССР

Начиная с 1947 г. в СССР начались интенсивно вестись работы в области полупроводниковых усилителей - в ЦНИИ-108 (лаб. С. Г. Калашникова) и в НИИ-160 (НИИ «Исток», Фрязино, лаб. А. В. Красилова). 15 ноября 1948 года в журнале «Вестник информации» А.В. Красилов опубликовал статью «Кристаллический триод». Это была первая публикация в СССР о транзисторах.

Таким образом, первый советский транзистор в СССР был создан независимо от работы американских учёных. Напомним, что 16 декабря 1947 года в американской компании Bell Labs был создан первый в мире транзистор, а в июле 1948 года, на 4 месяца раньше советской публикации, информация об этом изобретении появилась в журнале «The Physical Review».

Александр Викторович Красилов
Александр Викторович Красилов

В серийное производство первые советские германиевые триоды С1-С4 (термин «транзистор» в СССР вошёл в обиход в 1960-е годы) были запущены лабораторией Красилова уже в 1949 г. В 1950 г. образцы германиевых триодов были разработаны в ФИАНе (Б.М. Вул, А. В. Ржанов, В. С. Вавилов и др.), в ЛФТИ (В.М. Тучкевич, Д. Н. Наследов) и в ИРЭ АН СССР (С.Г. Калашников, Н. А. Пенин и др.). На тот момент советские транзисторы были ничем не хуже импортных транзисторов.

Естественно, транзисторы появились не на пустом месте – этому предшествовали годы исследований.
В 1926 г. советский физик Я. И. Френкель выдвинул гипотезу о дефектах кристаллической структуры полупроводников, названных "пустыми местами", или, более привычно, "дырками", которые могли перемещаться по кристаллу. В 1930-е годы академик А. Ф. Иоффе начал эксперименты с полупроводниками в Ленинградском институте инженерной физики.
В 1938 г. украинский академик Б. И. Давыдов и его сотрудники предложили диффузионную теорию выпрямления переменного тока посредством кристаллических детекторов, в соответствии с которой оно имеет место на границе между двумя слоями проводников, обладающих p- и n- проводимостью. Далее эта теория была подтверждена и развита в исследованиях В.Е. Лашкарева, проведенных в Киеве в 1939—1941 гг. Он установил, что по обе стороны "запорного слоя", расположенного параллельно границе раздела медь — оксид меди, находятся носители тока противоположных знаков (явление p-n-перехода), а также что введение в полупроводники примесей резко повышает их способность проводить электрический ток. Лашкарев открыл и механизм инжекции (переноса носителей тока) — явления, составляющего основу действия полупроводниковых диодов и транзисторов.
Эти исследования были прерваны войной. Однако война же остро поставила вопрос о необходимости развития советской электронной промышленности. В частности, необходимо было развивать радиолокацию.

К началу войны Ленинградский радиозавод успел выпустить всего 45 комплектов «радиоулавливателя самолетов» РУС-1. Первые два военных года радиолокационные станции в СССР больше не выпускались. 4 июля 1943 года Государственным комитетом Обороны было принято постановление «О радиолокации».


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ОБОРОНЫ
ПОСТАНОВЛЕНИЕ № ГОКО-3683сс
4 июля 1943 года. Москва. Кремль

О радиолокации

Учитывая исключительно важное значение радиолокации для повышения боеспособности Красной Армии и Военно-Морского Флота, Государственный Комитет Обороны постановляет:
1. Создать при Государственном Комитете Обороны Совет по радиолокации
Возложить на Совет по радиолокации при ГОКО следующие задачи:
а) подготовку проектов военно-технических заданий ГОКО для конструкторов по вопросам системы вооружения средствами радиолокации Красной Армии и Военно-Морского Флота;
б) всемерное развитие радиолокационной промышленности и техники, обеспечение создания новых средств радиолокации и усовершенствования существующих типов радиолокаторов, а также обеспечение серийного выпуска промышленностью высококачественных радиолокаторов;
в) привлечение к делу радиолокации наиболее крупных научных, конструкторских и инженерно-технических сил, способных двигать вперед радиолокационную технику;
г) систематизацию и обобщение всех достижений науки и техники в области радиолокации, как в СССР, так и за границей, путем использования научно-технической литературы и всех источников информации;
д) подготовку предложений для ГОКО по вопросам импорта средств радиолокации.
2. Утвердить Совет по радиолокации в следующем составе: тт. Маленков (председатель), Архипов, Берг, Голованов, Горохов, Данилин, Кабанов, Калмыков, Кобзарев, Стогов, Тереньтьев, Угер, Шахурин, Щукин.
3. Поставить перед Советом по радиолокации в качестве ближайших задач:
а) обеспечение улучшения качества и увеличения серийного производства выпускаемых промышленностью следующих радиолокаторов – установки обнаружения, опознавания самолетов и наведения на них истребительной авиации в системе ПВО – "Пегматит – 3" и "Редут" с высотной приставкой; станции орудийной наводки СОН для обеспечения стрельбы зенитных дивизионов в системе ПВО; самолетных радиолокационных установок радионаведения для двухмоторных самолетов "Гнейс – 2"; радиолокационных приборов опознавания самолетов и кораблей "свой – чужой".
б) Обеспечение создания и испытания опытных образцов и подготовки серийного производства следующих радиолокаторов – установки наведения прожекторов для ведения заградительного огня зенитной артиллерией в системе ПВО; станции орудийной наводки СОН – 3 для обеспечения стрельбы зенитным дивизионом в системе ПВО; радиолокационной установки для наведения на цель бомбардировочной авиации дальнего действия; радиолокационной установки наведения для одномоторного истребителя; универсальной морской установки обнаружения для всех типов кораблей, включая подводные лодки и торпедные катера; корабельной и береговой установки для обнаружения и обеспечения стрельбы главным калибром надводных кораблей и береговых батарей в любых условиях видимости.
4. В целях обеспечения новых разработок и серийного производства радиолокаторов современными высококачественными электровакуумными изделиями, создать Электровакуумный институт с опытным заводом. <…>.
Разместить Электровакуумный институт на площади завода № 747 НКЭП
Утвердить начальником Электровакуумного института т. Векшинского С.А.
6. Для решения задач комплексного проектирования радиолокационного оборудования объектов, разработки тактико-технических заданий на радиолокационные приборы и координации работ отделов главных конструкторов заводов радиолокационной промышленности, организовать Проектно-Конструкторское Бюро по радиолокации.
Утвердить начальником Проектно-Конструкторского Бюро по радиолокации т. Попова Н.Л.
7.Организовать в Наркомате электропромышленности Главное управление радиолокационной промышленности в составе:
а) Всесоюзного научно-исследовательского института радиолокации;
б) Электровакуумного института;
в) Проектно-Конструкторского Бюро;
г) заводов Наркомэлектропрома №№ 465, 747, 498, 208 и 830.
7. Утвердить т. Берга А.И. заместителем наркома электропромышленности по вопросам радиолокации.
8. Восстановить в Московском энергетическом институте факультет радиотехники.
9. Обязать Главное управление трудовых резервов при СНК СССР (тт. Москатов и Зеленко) совместно с ЦК ВЛКСМ (т. Михайлов) организовать 15 ремесленных училищ с контингентом учащихся 10 тысяч человек с целью подготовки в этих училищах квалифицированных рабочих кадров для заводов радиолокационной промышленности.
10. Установить для крупных научных, конструкторских и инженерно-технических работников по радиолокации 30 персональных окладов в размере до 5 000 рублей каждый и 70 окладов в размере до 3 000 рублей.
11. Разрешить председателю Совета по радиолокации утвердить штаты аппарата Совета.
12. Обязать Совет по радиолокации совместно с Госпланом при СНК СССР (т. Вознесенский), Наркомэлектропромом (т. Кабанов), Наркомавиапромом (т. Шахурин), Наркомминвооружения (т. Паршин) Наркомсудпромом (т. Носенко), Наркомсредмашем (т. Акопов), Наркомвооружения (т. Устинов) и 15 июля с.г. представить на утверждение Государственного Комитета Обороны предложения о мероприятиях по организации производства радиолокационной аппаратуры.

Председатель Государственного Комитета Обороны И. Сталин


Созданный согласно этому постановлению Всесоюзного научно-исследовательского института радиолокации получил название ЦНИИ-108(ныне «ЦНИРТИ им. академика А.И. Берга»). Его руководителем стал А.И. Берг. Институт занимался созданием радиолокаторов и методов борьбы с ними. Сотрудник этого НИИ, руководитель лаборатории, Сергей Григорьевич Калашников, в дальнейшем создал первый систематический курс физики полупроводников в СССР и читал лекции в университете.

6 августа того же 1943 года было принято постановление о создании в городе Фрязино на базе заводе «Радиолампа»(завод N747) НИИ-160 (в дальнейшем назывался НИИ Электронной техники, НИИ «Исток», НПО «Исток», ГНПП "Исток"). Перед этим НИИ была поставлена задача создания электровакуумных приборов для радиолокационных станций.

Директором НИИ был назначен опытный инженер и изобретатель Сергей Аркадьевич Векшинский, бывший начальник Отраслевой вакуумной лаборатории (ОВЛ), эвакуированной из Ленинграда в Новосибирск, и бывший главный инженер «Светланы», а с 1940 г . начальник Спецбюро по металлографии, эвакуированного во Фрязино, а затем в Новосибирск. Менее года пробыл он директором НИИ-160, но самой ценной его заслугой было привлечение сюда ряд работников своего Спецбюро, а также самых ценных работников ОВЛ во главе с ее начальником С.А. Зусмановским (он был назначен заместителем Векшинского по научной части). Среди них были Ю. А. Юноша, В. И. Егиазаров, Г. А. Шустин, С. А. Зусмановский, К. П. Шахов, А. В. Красилов, В. С. Лукошков, Т.Б. Фогельсон и др. Вместе с сотрудниками «Светланы» эти ленинградцы стали золотым фондом института.

Институты НИИ-160 и ЦНИИ-108 активно сотрудничали, в частности в решении проблемы повышения выходной мощности и рабочих частот транзисторов, и в результате родилась идея нового технологического процесса "сплавления-диффузии", на основе которой появились серийные германиевые транзисторы П401-П403 и П410, П411. Но в 1957 году А.И.Берг создал в Академии наук СССР новый Институт радиоэлектроники, который сам же и возглавил, сотрудники, занимавшиеся полупроводниковыми приборами, перешли туда, и в ЦНИИ-108 это направление было свернуто.

В Советском Союзе первая НИР по транзисторам была поставлена в НИИ-160 (в дальнейшем - НИИ «Исток») в декабре 1948 г. Работа была выполнена Сусанной Мадоян - дипломницей Химико-технологического института им. Д.И. Менделеева под руководством А.В. Красилова.

Александр Викторович Красилов по праву считается патриархом отечественной полупроводниковой электроники. Родился 14 сентября 1910 г. Окончил Киевский политехнический институт. Начал трудовую деятельность в 1932 году на заводе "Светлана" г. Ленинград.

Принимал активное участие в развитии вакуумной электроники. В период Великой Отечественной войны участвовал в создании радиолампового завода в Новосибирске. Был командирован в США с целью заказа оборудования для вакуумной промышленности, где знакомился с работами ведущих электронных фирм того времени: "Дженерал-Электрик", "Вестингауз", "Ар-СИ-Эй", "Хьюлет-Паккард", "Вестон".

Под его руководством в НИИ "Исток" разработаны и внедрены в производство несколько серий микроволновых кремниевых детекторов сантиметрового и миллиметрового диапазонов, обеспечивающих нужды радиолокации, радиоприборостроения и СВЧ измерительной техники. Одновременно был разработан комплекс аппаратуры для измерения всех электрических параметров детекторов, включая измерения на сверхвысоких частотах. За эти работы А. В. Красилову в 1949 г. была присуждена Сталинская премия.

С августа 1953 г. А. В. Красилов - начальник отдела НИИ-35 (НИИ "Пульсар"). За более чем 20-летний срок пребывания на этой должности руководил разработкой, усовершенствованием, исследованием и внедрением в производство на опытном заводе НИИ и на девяти заводах в разных частях страны сотен типов германиевых диодов, транзисторов, туннельных диодов. В процессе этих работ были изучены основные свойства германия, способы его обработки, принципы конструирования приборов, методы их испытаний, пути достижения необходимой герметичности и надежности, в том числе для работы в особых условиях.

А. В. Красилов - автор ряда новых направлений конструирования и изготовления полупроводниковых приборов, таких как методы диффузии легирующих примесей в кристаллы германия и кремния, метод эпитаксиального наращивания, методы пиролитического разложения соединений германия, кремния и металлов, методы травления полупроводниковых приборов и многие другие основополагающие методы технологии.

А.В. Красилов скончался 7 июля 2003 г.

Сусанна Гукасовна Мадоян
Сусанна Гукасовна
Мадоян. 1950 г.

Сусанна Гукасовна Мадоян родилась 24 июня 1925 г. в городе Батуми в Грузии.
В 1944 году с отличием закончила школу и поступила в Московский химико-технологический институт им. Менделеева. Как уже писалось выше, свою дипломную работу «Исследование материалов для кристаллического триода» писала в НИИ-160 под руководством А.В. Красилова.

Создание точечных транзисторов было началом её трудовой деятельности, однако вскоре пришлось переключиться на разработку и изготовление диодов для развивающейся вычислительной техники.





Сусанна Гукасовна Мадоян
В 1953 году она вместе с А.В. Красиловым перешла на работу в открывшийся НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35, ныне «Пульсар»). В том же году С.Г. Мадоян создала первый в Союзе опытный образец плоскостного (по тогдашней терминологии - слоистого) германиевого транзистора. Эта разработка стала основой серийных приборов типа П1, П2, П3 и их дальнейших модификаций.
В конце 1960 года С.Г. Мадоян защитила диссертацию на степень кандидата технических наук и начала цикл новых работ по созданию СВЧ приборов – туннельных диодов, основанных не только на германии, но и на появившемся к тому времени новых полупроводниковых материалах – арсениде галлия и антимониде галлия. Однако в 1969 г. оставила полупроводниковую промышленность и занялась преподаванием – получила должность доцента кафедры «Полупроводниковые приборы» в Институте стали и сплавов. Там вела курс «Технология полупроводниковых приборов» и написала ряд учебных пособий, по лекционному курсу, по курсовому проектированию и лабораторному практикуму. Руководила работами аспирантов; девять из них защитили кандидатские диссертации.

А.В. Красилов и С.Г. Мадоян
С.Г. Мадоян и А.В. Красилов

После войны В.Е. Лошкарёв возобновил исследования и в начале 1950-х годов изготовил первые точечные транзисторы в лабораторных условиях. Научные заслуги Лашкарева были оценены: он возглавил новый Институт полупроводников АН Украины, который был открыт в 1960 г.

Советские транзисторы П1А и П3А
Советские транзисторы П1А и П3А(с радиатором). 1957 г.

В начале 1950-х в НИИ-160 Ф. А. Щиголь(который также, как и С.Г. Мадоян, был дипломником у А.В. Красилова) и Н. Н. Спиро ежедневно выпускали десятки точечных транзисторов типа С1—С4, а М. М. Самохвалов разрабатывал в НИИ-35 новые решения по групповой технологии, технологии "вплавления — диффузии" для получения тонкой базы ВЧ-транзисторов. В 1953 г. на основе исследований термоэлектрических свойств полупроводников А. Ф. Иоффе создал серию термоэлектрогенераторов, а в НИИ-35 были изготовлены планарные транзисторы П1, П2, П3. Вскоре в лаборатории С. Г. Калашникова был получен германиевый транзистор для частот 1,0 — 1,5 МГц, а Ф. А. Щиголь сконструировал кремниевые сплавные транзисторы типа П501—П503.

Феликс Анатольевич Щиголь стал лауреатом Ленинской премии за развитие полупроводниковой промышленности. Среди его заслуг - создание стандартного для отрасли маломощного универсального кремниевого планарного транзистора 2Т312, который вместе со множеством своих производных производится до сих пор.

Феликс Анатольевич Щиголь
Создатель первых кремниевых планарных транзисторов Феликс Анатольевич Щиголь

В 1957 г. советская промышленность выпустила 2,7 млн. транзисторов. Начавшееся создание и развитие ракетной и космической техники, а затем и вычислительных машин, а также потребности приборостроения и других отраслей экономики полностью удовлетворялись транзисторами и другими электронными компонентами отечественного производства.

Вот что С.Г. Мадоян говорит про создание советской полупроводниковой промышленности:

Примерно в 1960-м году началась передача работ на новые заводы. Тогда возникло много полупроводниковых заводов, но каким-то странным образом: в Таллине полупроводниковое производство организовали на бывшей спичечной фабрике, в Брянске – на базе старой макаронной фабрики – новую макаронную построили, а старую отдали под производство полупроводниковых приборов. В Риге под завод полупроводниковых приборов отвели здание физкультурного техникума. Так что, начальные работы везде были тяжёлые, я помню, что в первую командировку в Брянске я искала макаронный завод и попала на новую макаронную фабрику, там мне объяснили, что есть ещё вот старая фабрика, и на старой фабрике я чуть ногу не сломала, оступившись в луже, причём на полу в коридоре, который вёл в кабинет директора.
Тогда началось производство самого массового вида приборов – маломощных германиевых транзисторов и в Новгороде Великом, а потом уже стали строить новые заводы. Сначала места для развёртывания производства выбирались так, чтобы была готовая инфраструктура, в городах, в которых людям хотелось жить, туда можно было набирать работников, а потом полупроводниковые заводы стали строить, ну, например, в Запорожье, потому что мы использовали в основном женский труд на всех сборочных участках, а в Запорожье было много безработных женщин. Ну, вот таким образом мы расширялись и продвигались.



Источники


1. 60 лет транзистору
2. 100 лет Красилову А.В.
3. Рождение новой отрасли - полупроводниковой электроники
4. В.Пролейко. О значении электроники. Военный аспект
5. Сведения о рассекречивании
6. Заметки по истории Фрязино
7. Музей электронных раритетов. Актив. П401 - П403А
8. Александр Нитусов. Сусанна Гукасовна Мадоян
9. Александр Нитусов. Транзисторная история
10. Исток (НПП)


Просмотров: 27516



statehistory.ru в ЖЖ:
Комментарии | всего 0
Внимание: комментарии, содержащие мат, а также оскорбления по национальному, религиозному и иным признакам, будут удаляться.
Комментарий:
Сергей 2011-01-10 23:56:59
Помог в этом <a href="http://russiahistory20.ru/stalinskiy_povorot/new_industrial_rynok/">Новый индустриальный рывок</a>.
X